’ හට ගැටිති සෑදීම පිළිබඳ ක්‍රියාවලිය දිගටම ඉගෙන ගැනීමට ඉඩ දෙන්න.

1. වේෆර් එන සහ පිරිසිදු:

ක්‍රියාවලිය ආරම්භ කිරීමට පෙර, වේෆර් මතුපිට කාබනික අපවිත්‍ර ද්‍රව්‍ය, අංශු, ඔක්සයිඩ් ස්ථර ආදිය තිබිය හැකි අතර ඒවා තෙත් හෝ වියලි පිරිසිදු කිරීමේ ක්‍රම මගින් පිරිසිදු කළ යුතුය.

2. PI-1 Litho: (පළමු ස්ථර ඡායාරූපකරණය: Polyimide Coating Photolithography)

Polyimide (PI) යනු පරිවාරක සහ ආධාරක ලෙස සේවය කරන පරිවාරක ද්‍රව්‍යයකි. එය මුලින්ම වේෆර් මතුපිටට ආලේප කර, පසුව නිරාවරණය කර, සංවර්ධනය කර, අවසානයේ ගැටිති සඳහා විවෘත ස්ථානය නිර්මාණය වේ.

3. Ti / Cu Sputtering (UBM):

UBM යනු ප්‍රධාන වශයෙන් සන්නායක අරමුණු සඳහා වන අතර පසුව විද්‍යුත් ආලේපනය සඳහා සූදානම් වන Under Bump Metallization යන්නයි. UBM සාමාන්‍යයෙන් සෑදී ඇත්තේ මැග්නට්‍රෝන ස්පුටරින් භාවිතයෙන් වන අතර Ti/Cu හි බීජ ස්ථරය වඩාත් සුලභ වේ.

4. PR-1 Litho (දෙවන ස්ථරයේ ඡායාරූපකරණය: Photoresist Photolithography):

ප්‍රභා ප්‍රතිරෝධකයේ ඡායාරූප ශිලා ලේඛනය ගැටිති වල හැඩය සහ ප්‍රමාණය තීරණය කරනු ඇති අතර, මෙම පියවර මගින් විද්‍යුත් ආලේප කළ යුතු ප්‍රදේශය විවෘත කරයි.

5. Sn-Ag ප්ලේටින්:

විද්‍යුත් ආලේපන තාක්ෂණය භාවිතයෙන්, ටින්-රිදී මිශ්‍ර ලෝහය (Sn-Ag) ගැටිති සෑදීමට විවෘත ස්ථානයේ තැන්පත් කෙරේ. මෙම අවස්ථාවේදී, ආවරණ රූපයේ දැක්වෙන පරිදි ගැටිති ගෝලාකාර නොවන අතර ප්‍රතිප්‍රවාහයට ලක් වී නොමැත.

6. PR තීරුව:

විද්‍යුත් ආලේපනය අවසන් වූ පසු, කලින් ආවරණය වූ ලෝහ බීජ ස්ථරය නිරාවරණය කරමින් ඉතිරි ප්‍රභා ප්‍රතිරෝධකය (PR) ඉවත් කරනු ලැබේ.

7. UBM Etching:

ගැටිති ප්‍රදේශය හැර UBM ලෝහ ස්ථරය (Ti/Cu) ඉවත් කරන්න, ගැටිති යට ලෝහ පමණක් ඉතිරි කරන්න.

8. නැවත ගලායාම:

ටින්-රිදී මිශ්‍ර ලෝහ ස්තරය උණු කිරීම සඳහා ප්‍රතිප්‍රවාහ පෑස්සීම හරහා ගොස් එය සුමට පෑස්සුම් බෝල හැඩයක් සාදමින් නැවත ගලා යාමට ඉඩ දෙන්න.

9. චිප් ස්ථානගත කිරීම:

ප්‍රතිප්‍රවාහ පෑස්සීම අවසන් කර ගැටිති ඇති වූ පසු, චිප ස්ථානගත කිරීම සිදු කෙරේ.

මේ සමඟ, flip chip ක්‍රියාවලිය සම්පූර්ණයි.

මීළඟ නවයේදී, අපි චිප ස්ථානගත කිරීම පිළිබඳ ක්‍රියාවලිය ඉගෙන ගනිමු.